AEC-Q101 MOSFET SQJQ112E-T1_GE3 N-kanálový 445 A 30 V Vishay, PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

94 444,00 Kč

(bez DPH)

114 278,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 11. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2000 +47,222 Kč94 444,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
239-8675
Výrobní číslo:
SQJQ112E-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

445A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK (8x8L)

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.00253Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální ztrátový výkon Pd

255W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

43nC

Maximální provozní teplota

125°C

Délka

6.15mm

Šířka

4.9mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® je automobilový Gen IV Power N-kanálový MOSFET, který pracuje při teplotě 100 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro vysokou hustotu výkonu.

Certifikát podle normy AEC-Q101

Testováno na UIS

Tenké balení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.