AEC-Q101 MOSFET SQJQ112E-T1_GE3 Typ N-kanálový 445 A 30 V Vishay, PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Nedostatečné zásobování
Vzhledem ke globálnímu nedostatku dodávek, nevíme, kdy tato položka bude znovu skladem.
Skladové číslo RS:
239-8675
Výrobní číslo:
SQJQ112E-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

445A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK (8x8L)

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.00253Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Přímé napětí Vf

1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

43nC

Maximální ztrátový výkon Pd

255W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

125°C

Délka

6.15mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® je automobilový Gen IV Power N-kanálový MOSFET, který pracuje při teplotě 100 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro vysokou hustotu výkonu.

Certifikát podle normy AEC-Q101

Testováno na UIS

Tenké balení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.