AEC-Q101 MOSFET SQJ184EP-T1_GE3 Typ N-kanálový 118 A 30 V Vishay, PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 252-0307
- Výrobní číslo:
- SQJ184EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
195,62 Kč
(bez DPH)
236,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 39,124 Kč | 195,62 Kč |
| 50 - 245 | 36,754 Kč | 183,77 Kč |
| 250 - 495 | 33,296 Kč | 166,48 Kč |
| 500 - 1245 | 31,32 Kč | 156,60 Kč |
| 1250 + | 29,394 Kč | 146,97 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 252-0307
- Výrobní číslo:
- SQJ184EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 118A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK (8x8L) | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.04mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 214W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.15mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 118A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK (8x8L) | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.04mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 214W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.15mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Automobilové tranzistory MOSFET Vishay jsou vyráběny na vyhrazeném procesním toku a jsou stále robustní. Jmenovitá maximální teplota spojení 175 °C, řada SQ Vishay Siliconix s certifikací AEC-Q101 nabízí technologie N- a P-kanálového tranzistoru FET s nízkým odporem při zapnutí v pouzdrech SO bez obsahu olova (Pb) a halogenů.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET s certifikací AEC-Q101, 100 % Rg a testován podle normy UIS, tenký, výška 1,9 mm
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 118 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SQJQ112E-T1_GE3 Typ N-kanálový 445 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJQ150E-T1_GE3 Typ N-kanálový 445 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4