AEC-Q101 MOSFET SQJ184EP-T1_GE3 Typ N-kanálový 118 A 30 V Vishay, PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

169,44 Kč

(bez DPH)

205,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4533,888 Kč169,44 Kč
50 - 24531,814 Kč159,07 Kč
250 - 49528,85 Kč144,25 Kč
500 - 124527,072 Kč135,36 Kč
1250 +25,442 Kč127,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
252-0307
Výrobní číslo:
SQJ184EP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

118A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK (8x8L)

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.04mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

214W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

43nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

4.9 mm

Délka

6.15mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Automobilové tranzistory MOSFET Vishay jsou vyráběny na vyhrazeném procesním toku a jsou stále robustní. Jmenovitá maximální teplota spojení 175 °C, řada SQ Vishay Siliconix s certifikací AEC-Q101 nabízí technologie N- a P-kanálového tranzistoru FET s nízkým odporem při zapnutí v pouzdrech SO bez obsahu olova (Pb) a halogenů.

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET s certifikací AEC-Q101, 100 % Rg a testován podle normy UIS, tenký, výška 1,9 mm

Související odkazy