AEC-Q101 MOSFET SQJ186EP-T1_GE3 N-kanálový 410 A 30 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 239-8670
- Výrobní číslo:
- SQJ186EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 239-8670
- Výrobní číslo:
- SQJ186EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 410A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.02Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 255W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Délka | 6.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 410A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.02Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 255W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Délka 6.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Vishay SIDR je automobilový N-kanálový MOSFET, který pracuje při teplotě 80 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro vysokou hustotu výkonu.
Certifikát podle normy AEC-Q101
Testováno na UIS
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET SQJ186EP-T1_GE3 N-kanálový 410 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJA26EP-T1_GE3 N-kanálový 410 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJ140ELP-T1_GE3 N-kanálový 410 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJ160EP-T1_GE3 N-kanálový 410 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJ170ELP-T1_GE3 N-kanálový 410 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQS140ENW-T1_GE3 N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJQ112E-T1_GE3 N-kanálový 445 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQJQ150E-T1_GE3 N-kanálový 445 A 30 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání