AEC-Q101 MOSFET SQJ186EP-T1_GE3 Typ N-kanálový 410 A 30 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

210,94 Kč

(bez DPH)

255,24 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 2 010 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9021,094 Kč210,94 Kč
100 - 24019,834 Kč198,34 Kč
250 - 49017,932 Kč179,32 Kč
500 - 99016,87 Kč168,70 Kč
1000 +15,857 Kč158,57 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
239-8671
Výrobní číslo:
SQJ186EP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

410A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK 8 x 8 l

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.02Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

43nC

Maximální ztrátový výkon Pd

255W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální provozní teplota

125°C

Normy/schválení

No

Délka

6.15mm

Šířka

4.9 mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Vishay SIDR je automobilový N-kanálový MOSFET, který pracuje při teplotě 80 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro vysokou hustotu výkonu.

Certifikát podle normy AEC-Q101

Testováno na UIS

Související odkazy