řada: TN5325 MOSFET Typ N-kanálový 10.3 A 650 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na platu)*

595,75 Kč

(bez DPH)

720,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 975 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
50 - 7511,915 Kč
100 - 22511,154 Kč
250 - 97510,947 Kč
1000 +10,72 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
239-5618P
Výrobní číslo:
TN5325K1-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

10.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-92

Řada

TN5325

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

8Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

140W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Microchip TN5325 série low-threshold, vylepšení-mode (normálně-off) tranzistor využít vertikální DMOS strukturu a dobře osvědčený křemíkové brány výrobní proces. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS.

Nízká prahová hodnota maximálně 2V

Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk

Doba náběhu 15 ns

Doba zpoždění vypnutí 25 ns

Doba pádu 25 ns

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.