řada: CoolMOS MOSFET IPP65R190CFD7XKSA1 N-kanálový 12 A 700 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 236-3668
- Výrobní číslo:
- IPP65R190CFD7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
311,22 Kč
(bez DPH)
376,58 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 62,244 Kč | 311,22 Kč |
| 25 - 45 | 54,784 Kč | 273,92 Kč |
| 50 - 120 | 51,672 Kč | 258,36 Kč |
| 125 - 245 | 47,968 Kč | 239,84 Kč |
| 250 + | 44,214 Kč | 221,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 236-3668
- Výrobní číslo:
- IPP65R190CFD7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 63W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 9.45mm | |
| Délka | 10.36mm | |
| Šířka | 4.57mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 63W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 9.45mm | ||
Délka 10.36mm | ||
Šířka 4.57mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS super junkční MOSFET s integrovanou diodou rychlého tělesa je ideální volbou pro rezonanční vysoce výkonné topologie. Je ideální pro průmyslové aplikace, jako jsou serverové, telekomunikační, solární a elektrické nabíjecí stanice, umožňuje významné zlepšení efektivity ve srovnání s konkurencí. Má vypouštěcí proud 12 A.
Vynikající odolnost při tvrdé komutaci
Extra bezpečnostní rezerva pro návrhy se zvýšeným napětím sběrnice
Aktivace vyšší hustoty výkonu
Vynikající účinnost při nízké zátěži v průmyslových aplikacích SMPS
Vyšší efektivita plného zatížení v průmyslových aplikacích SMPS
Cenová konkurenceschopnost ve srovnání s alternativními nabídkami na trhu
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET IPP65R190CFD7XKSA1 N-kanálový 12 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET IPP65R090CFD7XKSA1 N-kanálový 25 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET IPP65R155CFD7XKSA1 N-kanálový 15 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET IPP65R110CFD7XKSA1 N-kanálový 22 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 41 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPAN70R600P7SXKSA1 N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N