řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 41 A 700 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-6006
- Výrobní číslo:
- IPP65R225C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 556,10 Kč
(bez DPH)
1 882,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 500 jednotka(y) budou odesílané od 06. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 31,122 Kč | 1 556,10 Kč |
| 100 - 200 | 28,632 Kč | 1 431,60 Kč |
| 250 + | 27,081 Kč | 1 354,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-6006
- Výrobní číslo:
- IPP65R225C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 41A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 225mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 63W | |
| Výška | 4.57mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.36mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 41A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 225mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 63W | ||
Výška 4.57mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.36mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS C7 superjunction MOSFET série je revoluční krok vpřed v technologii, poskytuje na světě nejnižší RDS (on) / balíček a díky své nízké ztráty spínání, zvýšení efektivity v celém rozsahu zatížení.
Vylepšená bezpečnostní rezerva a vhodná pro aplikace SMPS i solárních měničů
Nejnižší ztráty vedení/balení
Nízké ztráty při spínání
Lepší účinnost při nízké zátěži
Zvýšení hustoty výkonu
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET IPP65R225C7XKSA1 Typ N-kanálový 41 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPA70R900P7SXKSA1 Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPP65R190C7FKSA1 Typ N-kanálový 13 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPP65R045C7XKSA1 Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení