řada: CoolMOS MOSFET IPP65R225C7XKSA1 Typ N-kanálový 41 A 700 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-6007
- Výrobní číslo:
- IPP65R225C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
259,35 Kč
(bez DPH)
313,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 510 jednotka(y) budou odesílané od 07. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 51,87 Kč | 259,35 Kč |
| 25 - 45 | 46,732 Kč | 233,66 Kč |
| 50 - 120 | 43,57 Kč | 217,85 Kč |
| 125 - 245 | 40,508 Kč | 202,54 Kč |
| 250 + | 37,89 Kč | 189,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-6007
- Výrobní číslo:
- IPP65R225C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 41A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 225mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 63W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Délka | 10.36mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.57mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 41A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 225mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 63W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Délka 10.36mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.57mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS C7 superjunction MOSFET série je revoluční krok vpřed v technologii, poskytuje na světě nejnižší RDS (on) / balíček a díky své nízké ztráty spínání, zvýšení efektivity v celém rozsahu zatížení.
Vylepšená bezpečnostní rezerva a vhodná pro aplikace SMPS i solárních měničů
Nejnižší ztráty vedení/balení
Nízké ztráty při spínání
Lepší účinnost při nízké zátěži
Zvýšení hustoty výkonu
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 41 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPA70R900P7SXKSA1 Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPP65R190C7FKSA1 Typ N-kanálový 13 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPP65R045C7XKSA1 Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení