řada: ISC MOSFET ISC022N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 230 A 100 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 235-4862
Výrobní číslo:: ISC022N10NM6ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: ISC MOSFET ISC022N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 230 A 100 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

268 960,00 Kč

(bez DPH)

325 440,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

5 000 jednotka(y) budou odesílané od 20. srpna 2026
Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 24. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	53,792 Kč	268 960,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 235-4862
Výrobní číslo:: ISC022N10NM6ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	230A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	ISC
	Typ balení	SuperSO8 5 x 6
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	2.24mΩ
	Maximální ztrátový výkon Pd	245W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	91nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	5.1mm
	Délka	6.1mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada ISC
	Typ balení SuperSO8 5 x 6
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 2.24mΩ
	Maximální ztrátový výkon Pd 245W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 91nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 5.1mm
	Délka 6.1mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

Výkonový tranzistor MOSFET OptiMOSTM 6 s normální úrovní 100 V v pouzdru SuperSO8

Model ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 100 V s normální úrovní vytváří nový technologický standard v oblasti diskrétních výkonových tranzistorů MOSFET. Ve srovnání s alternativními produkty umožňuje přední technologie tenkých destiček společnosti Infineon výrazné zvýšení výkonu.

Průmyslový výkonový tranzistor MOSFET 100 V OptiMOSTM 6 od společnosti Infineon je navržen pro aplikace s vysokou spínací frekvencí, jako jsou napájení telekomunikací a serverů, ale také ideální volbou pro jiné aplikace, jako jsou solární energie, elektrické nástroje a drony.

V pouzdru SuperSO8 dosahuje o ∼20 % zlepšení odporu ve stavu zapnutí (RDS(on)) a o 30 % lepší hodnotu (FOM - RDS(on) x Qg a Qgd) ve srovnání s předchozí technologií OptiMOSTM 5. To umožňuje projektantům zvýšit efektivitu, což umožňuje snadnější tepelnou konstrukci a menší paralelizaci, což vede ke snížení nákladů na systém.

Shrnutí funkcí

Ve srovnání s OptiMOSTM 5 dosahuje nová technologie:

•O ∼20 % nižší RDS(zapnuto)

•O 30 % lepší FOMg a o 40 % lepší FOMgd

•Nižší a měkčí reverzní náboj (Qrr)

•Ideální pro vysokou spínací frekvenci

•Klasifikace MSL 1 podle J-STD-020

•Jmenovitá teplota spojky 175 °C

•Vysoká jmenovitá lavinová energie

•Bezolovnaté povrchové pokovení

•V souladu s RoHS

Výhody

•Nízké ztráty vodivosti

•Nízké spínací ztráty

•Rychlé zapínání a vypínání

•Vyžaduje méně paralelizace

•Robustní spolehlivý výkon

•Šetrné k životnímu prostředí