řada: STB37N60 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 233-3040
- Výrobní číslo:
- STH12N120K5-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
179 133,00 Kč
(bez DPH)
216 751,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 179,133 Kč | 179 133,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 233-3040
- Výrobní číslo:
- STH12N120K5-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | STB37N60 | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 690mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.8mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada STB37N60 | ||
Typ balení H2PAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 690mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44.2nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.8mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET STMicroelectronics s velmi vysokým napětím N-channel jsou navrženy pomocí technologie MDmesh™ K5 založené na inovativní patentované vertikální struktuře. Výsledkem je výrazné snížení odporu a mimořádně nízké úrovně nabití u aplikací vyžadujících vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Celosvětově nejlepší FOM (hodnota zásluh)
Mimořádně nízké nabití hradla
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: STB37N60 MOSFET STH12N120K5-2 Typ N-kanálový 12 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTH40N MOSFET Typ N-kanálový 33 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STH12N120K5-2AG Typ N-kanálový 7 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 H2PAK-7, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiC MOSFET MOSFET SCT20N120H Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový