řada: SCT MOSFET SCT070H120G3-7 N-kanálový 30 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK-7, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
214-961
Výrobní číslo:
SCT070H120G3-7
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

30A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

H2PAK-7

Řada

SCT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

63mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Přímé napětí Vf

3V

Maximální ztrátový výkon Pd

224W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

37nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Šířka

10.4mm

Délka

15.25mm

Země původu (Country of Origin):
CN
Zařízení STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 3. generace společnosti ST. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkou kapacitou a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace z hlediska frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.

Vysokorychlostní spínací výkony

Velmi rychlá a robustní dioda s vlastním tělem

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.