řada: SCT MOSFET Typ N-kanálový 100 A 1200 V, H2PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

19 633,05 Kč

(bez DPH)

23 755,98 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +654,435 Kč19 633,05 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
202-5485
Výrobní číslo:
SCTW100N65G2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

SCT

Typ balení

H2PAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.105Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Typický náboj brány Qg @ Vgs

162nC

Maximální ztrátový výkon Pd

420W

Přímé napětí Vf

2.8V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

200°C

Výška

34.95mm

Normy/schválení

No

Délka

15.75mm

Automobilový standard

Ne

Výkonové MOSFET z karbidu křemíku třídy STMicroelectronics pro automobilový průmysl byl vyvinut pomocí Advanced společnosti ST a inovativní technologie MOSFET druhé generace SIC. Zařízení má pozoruhodně nízký odpor na jednotku a velmi dobrý spínací výkon.

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Nízká kapacita

Související odkazy