řada: SCTWA35N65G2V-4 MOSFET N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 233-0473P
- Výrobní číslo:
- SCTWA35N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 346,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
3 013,40 Kč
(bez DPH)
3 646,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 236 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 10 - 99 | 301,34 Kč | - |
| 100 + | 297,88 Kč | 346,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 233-0473P
- Výrobní číslo:
- SCTWA35N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Řada | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 67mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Přímé napětí Vf | 3.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 20.1mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Řada SCTWA35N65G2V-4 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 67mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Přímé napětí Vf 3.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 20.1mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Šířka 21.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje.
Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa
Nízké kapacity
Snímací kolík zdroje pro vyšší účinnost