řada: SCTWA35N65G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

1 583,25 Kč

(bez DPH)

1 915,75 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 236 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
5 - 9316,65 Kč
10 - 24308,01 Kč
25 - 49300,35 Kč
50 +292,94 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
233-0473P
Výrobní číslo:
SCTWA35N65G2V-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

Hip-247

Řada

SCTWA35N65G2V-4

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

3.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Maximální ztrátový výkon Pd

240W

Maximální provozní teplota

200°C

Výška

5.1mm

Normy/schválení

No

Délka

20.1mm

Automobilový standard

Ne

Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje.

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Nízké kapacity

Snímací kolík zdroje pro vyšší účinnost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.