řada: SiC Power MOSFET N-kanálový 142 A 650 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 229-6458P
- Výrobní číslo:
- NTH4L015N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
4 670,80 Kč
(bez DPH)
5 651,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 467,08 Kč |
| 100 + | 404,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-6458P
- Výrobní číslo:
- NTH4L015N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 142A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | SiC Power | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 283nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 4.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.2mm | |
| Výška | 22.74mm | |
| Délka | 15.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 142A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada SiC Power | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 283nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 4.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.2mm | ||
Výška 22.74mm | ||
Délka 15.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET ŘADY ON Semiconductor SIC Power využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání s křemíkem. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla.
Nejvyšší účinnost
Rychlejší provozní frekvence
Zvýšená hustota výkonu
Snížení EMI
Menší velikost systému
Související odkazy
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 142 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET NTH4L015N065SC1 Typ N-kanálový 142 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 55 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET NTH4L060N090SC1 Typ N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET NTH4L045N065SC1 Typ N-kanálový 55 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- MOSFET SCT3030ARC14 N-kanálový 70 A 650 V počet kolíků: 4 Jednoduchý SiC
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 145 A 650 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový N