řada: UniFET II MOSFET FDT4N50NZU Typ N-kanálový 2 A 500 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 229-6327
- Výrobní číslo:
- FDT4N50NZU
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
231,69 Kč
(bez DPH)
280,34 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 680 jednotka(y) budou odesílané od 28. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 23,169 Kč | 231,69 Kč |
| 100 - 240 | 19,982 Kč | 199,82 Kč |
| 250 - 490 | 17,315 Kč | 173,15 Kč |
| 500 - 990 | 15,24 Kč | 152,40 Kč |
| 1000 + | 13,832 Kč | 138,32 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-6327
- Výrobní číslo:
- FDT4N50NZU
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | UniFET II | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3Ω | |
| Režim kanálu | N | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.7mm | |
| Výška | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada UniFET II | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3Ω | ||
Režim kanálu N | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.7mm | ||
Výška 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vysokonapěťový MOSFET ON Semiconductor UniFET II založený na planárním proužku Advanced a technologii DMOS. Tento Advanced MOSFET má nejmenší na státní odpor mezi rovinné MOSFET a také poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší lavinovou sílu energie. Je vhodný pro přepínání aplikací měničů výkonu, jako je korekce účiníku, plochý displej, TV výkon, ATX a elektronické předřadníky žárovek.
Mimořádně nízké nabití hradla
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Bez PB
Bez halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: UniFET II MOSFET Typ N-kanálový 2 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 680 mA 25 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDV303N Typ N-kanálový 680 mA 25 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 6.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET FDT439N Typ N-kanálový 6.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT451AN MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTF3055-100T1G Typ N-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení