řada: UniFET MOSFET FDV303N Typ N-kanálový 680 mA 25 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 100 kusech)*

229,20 Kč

(bez DPH)

277,30 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 3 400 jednotka(y) budou odesílané od 27. dubna 2026
  • Plus 6 900 jednotka(y) budou odesílané od 04. května 2026
  • Plus 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 18. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
100 - 4002,292 Kč229,20 Kč
500 - 9001,974 Kč197,40 Kč
1000 +1,714 Kč171,40 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
121-2747
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-36-911
Výrobní číslo:
FDV303N
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

680mA

Maximální napětí na zdroji Vds

25V

Typ balení

SOT-23

Řada

UniFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

450mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

350mW

Přímé napětí Vf

-1.6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.64nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

2.92mm

Výška

0.93mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy