řada: TrenchFET MOSFET Si2387DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3 A 80 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2814
- Výrobní číslo:
- Si2387DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
475,725 Kč
(bez DPH)
575,625 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 5 950 jednotka(y) budou odesílané od 17. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 19,029 Kč | 475,73 Kč |
| 250 - 600 | 18,061 Kč | 451,53 Kč |
| 625 - 1225 | 13,338 Kč | 333,45 Kč |
| 1250 - 2475 | 12,33 Kč | 308,25 Kč |
| 2500 + | 11,431 Kč | 285,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2814
- Výrobní číslo:
- Si2387DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay TranchFET Gen IV P-Channel se používá pro zátěžový spínač, ochranu obvodů a řízení motorového pohonu.
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2369DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2307CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2301HDS-T1-GE3 P-kanál-kanálový -3.1 A -20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení