MOSFET Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
224-9999P
Výrobní číslo:
SCTH35N65G2V-7AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

H2PAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

3.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

14nC

Maximální ztrátový výkon Pd

208W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22 V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

4.8 mm

Výška

15.25mm

Normy/schválení

No

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje.

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita

Snímací kolík zdroje pro vyšší účinnost