řada: IPT60R MOSFET IPT60R028G7XTMA1 N-kanálový 75 A 600 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4938
- Výrobní číslo:
- IPT60R028G7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 5 kusů a ušetřete 100,05 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
397,67 Kč
(bez DPH)
481,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 397,67 Kč | - |
| 5 - 9 | 377,66 Kč | 100,05 Kč |
| 10 - 24 | 370,25 Kč | 274,20 Kč |
| 25 - 49 | 346,29 Kč | 1 284,50 Kč |
| 50 + | 322,09 Kč | 3 779,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4938
- Výrobní číslo:
- IPT60R028G7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 75A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPT60R | |
| Typ balení | HSOF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 28mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 123nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 800mV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 391W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.1mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 10.58mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 75A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPT60R | ||
Typ balení HSOF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 28mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 123nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 800mV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 391W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.1mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 10.58mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ C7 Gold Superjunction MOSFET series (G7) spojuje výhody zdokonalené 600V CoolMOS™ C7 Gold technologie, Schopnost 4kolíkového zdroje Kelvin a vylepšené tepelné vlastnosti balíčku PRO BEZPROUDOVOU (MÝTNÉ) jednotku UMOŽŇUJÍCÍ možné řešení SMD pro vysokoproudé topologie přepínání, jako je korekce účiníku (PFC) do 3 kW a pro rezonanční obvody, jako je high-end LLC.
Poskytuje nejlepší FOM R DS(ON)XE OSS a R DS(ON)XQ G ve své třídě
Umožňuje nejlepší R DS (ON) ve své třídě v nejmenších rozměrech
Související odkazy
- řada: IPT60R MOSFET N-kanálový 75 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT60R MOSFET N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT60R MOSFET IPT60R080G7XTMA1 N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolGaN MOSFET N-kanálový 12.5 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolGaN MOSFET IGT60R190D1SATMA1 N-kanálový 12.5 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 44 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPT60R050G7XTMA1 N-kanálový 44 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IAUA MOSFET N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení