řada: CoolGaN MOSFET Typ N-kanálový 12.5 A 600 V Infineon, HSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4637
- Výrobní číslo:
- IGT60R190D1SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
379 082,00 Kč
(bez DPH)
458 690,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. dubna 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 + | 189,541 Kč | 379 082,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4637
- Výrobní číslo:
- IGT60R190D1SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | CoolGaN | |
| Typ balení | HSOF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada CoolGaN | ||
Typ balení HSOF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon design Cool MOS™ je revoluční technologie pro vysokonapěťové tranzistory MOSFET, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. Řada Cool MOS™ P6 kombinuje zkušenosti předního dodavatele SJ MOSFET s vysoce kvalitními inovacemi. Nabízená zařízení poskytují všechny výhody rychlého přepínání SJ MOSFET, aniž by bylo obětování snadné použití. Díky extrémně nízkým ztrátám při spínání a vedení jsou spínací aplikace ještě efektivnější, kompaktnější, lehčí a chladnější.
Zvýšená odolnost MOSFET dv/dt
Extrémně nízké ztráty v důsledku velmi nízké FOM Rdson * QG a Eoss
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Bez obsahu PB, pokovování, bez obsahu halogenů, forma
Související odkazy
- řada: CoolGaN MOSFET IGT60R190D1SATMA1 Typ N-kanálový 12.5 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolGaN MOSFET Typ N-kanálový 10 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolGaN MOSFET IGLD60R190D1AUMA3 Typ N-kanálový 10 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT60R MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT60R MOSFET Typ N-kanálový 75 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT60R MOSFET IPT60R028G7XTMA1 Typ N-kanálový 75 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT60R MOSFET IPT60R080G7XTMA1 Typ N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 44 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení