řada: IPP60R MOSFET IPP60R060C7XKSA1 Typ N-kanálový 35 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

324,31 Kč

(bez DPH)

392,416 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 946 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8162,155 Kč324,31 Kč
10 - 18149,065 Kč298,13 Kč
20 - 48139,43 Kč278,86 Kč
50 - 98129,675 Kč259,35 Kč
100 +120,04 Kč240,08 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
222-4926
Výrobní číslo:
IPP60R060C7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

35A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

IPP60R

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

60mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.9V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

68nC

Maximální ztrátový výkon Pd

162W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

9.45mm

Délka

10.36mm

Automobilový standard

Ne

Superjunction (SJ) MOSFET řady Infineon 600V CoolMOS™ C7 nabízí ve srovnání s CoolMOS™ CP přibližně 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS) a nabízí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších topologiích s tvrdým přepínáním. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky.

Snížené parametry ztráty při spínání, např. Q G, C oss, E oss

Nejlepší parametry Q G*R DS(on) ve své třídě

Zvýšená frekvence spínání

Nejlepší hodnota R (on)*A na světě

Odolná dioda

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.