AEC-Q101, řada: IPP60R MOSFET N-kanálový 23 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4923
- Výrobní číslo:
- IPP60R022S7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
9 263,75 Kč
(bez DPH)
11 209,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 350 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 185,275 Kč | 9 263,75 Kč |
| 100 - 100 | 176,007 Kč | 8 800,35 Kč |
| 150 + | 166,636 Kč | 8 331,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4923
- Výrobní číslo:
- IPP60R022S7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 23A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | IPP60R | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 390W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.36mm | |
| Výška | 9.45mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.57mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 23A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada IPP60R | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 390W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.36mm | ||
Výška 9.45mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.57mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Konstrukce Infineon optimalizovaná pro nízké ztráty vedení, 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 nabízí nejlepší RDS (ON) x cenu pro nízkofrekvenční aplikace spínání, jako jsou aktivní můstkové usměrňovače, stupně měniče, relé ve špičce, PLC, VN DC linky, polovodičová relé a polovodičová jističe. 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET dosahuje vyšší energetické účinnosti a snižuje náklady na kusovníky.
Minimalizujte ztráty vedení
Zvýšení energetické účinnosti
Kompaktnější a jednodušší provedení
Odstraňte nebo snižte chladič v provedení s pevným stavem
Nižší celkové náklady na vlastnictví (TCO) nebo náklady na kusovník (BOM)
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP60R MOSFET N-kanálový 35 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPP60R MOSFET N-kanálový 26 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPP60R MOSFET IPP60R060C7XKSA1 N-kanálový 35 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPP60R MOSFET IPP60R120P7XKSA1 N-kanálový 26 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET N-kanálový 23 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9540NPBF Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení