řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 6 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4879
- Výrobní číslo:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
660,40 Kč
(bez DPH)
799,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 450 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 13,208 Kč | 660,40 Kč |
| 100 - 200 | 10,302 Kč | 515,10 Kč |
| 250 - 450 | 9,642 Kč | 482,10 Kč |
| 500 - 1200 | 8,981 Kč | 449,05 Kč |
| 1250 + | 8,321 Kč | 416,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4879
- Výrobní číslo:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | IPA60R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada IPA60R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 je nástupcem řady 600V CoolMOS™ P6. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší RonxA ve své třídě a přirozeně nízké nabití hradla (QG) platformy CoolMOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.
Odolnost proti elektrostatickému výboji ≥ 2 kV (HBM třída 2)
Integrovaný rezistor RG kulisy
Odolná dioda
Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží
K dispozici jsou standardní i průmyslové díly
Související odkazy
- řada: IPA60R MOSFET IPA60R600P7SXKSA1 Typ N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 31 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPA60R160P7XKSA1 Typ N-kanálový 20 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPB60R040CFD7ATMA1 Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPAW60R180P7SXKSA1 Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPA60R099P7XKSA1 Typ N-kanálový 31 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení