řada: IPA60R MOSFET IPB60R040CFD7ATMA1 Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4887
- Výrobní číslo:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
420,89 Kč
(bez DPH)
509,276 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 776 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 210,445 Kč | 420,89 Kč |
| 10 - 18 | 187,35 Kč | 374,70 Kč |
| 20 - 48 | 174,63 Kč | 349,26 Kč |
| 50 - 98 | 162,155 Kč | 324,31 Kč |
| 100 + | 151,66 Kč | 303,32 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4887
- Výrobní číslo:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | IPA60R | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada IPA60R | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 v pouzdru D2PAK je ideální pro rezonanční topologie ve vysoce výkonových SMPS, jako jsou serverové, telekomunikační a EV nabíjecí stanice, kde umožňuje výrazné zlepšení efektivity. Jako nástupce řady CFD2 SJ MOSFET se dodává se sníženým poplatkem za bránu, lepším chováním při vypínání a až o 69 % sníženým poplatkem za zpětné zotavení ve srovnání s konkurencí
Špičková odolnost při tvrdé komutaci
Nejvyšší spolehlivost pro rezonanční topologie
Nejvyšší efektivita díky mimořádně snadnému použití a výkonu
Umožňuje řešení s vyšší hustotou výkonu
Související odkazy
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPAW60R180P7SXKSA1 Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 31 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPA60R160P7XKSA1 Typ N-kanálový 20 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPA60R600P7SXKSA1 Typ N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET IPA60R099P7XKSA1 Typ N-kanálový 31 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení