řada: IMBF1 MOSFET N-kanálový 5.2 A 1700 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

46 535,00 Kč

(bez DPH)

56 307,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +46,535 Kč46 535,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
222-4847
Výrobní číslo:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

5.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

1700V

Typ balení

TO-263

Řada

IMBF1

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

68W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23V

Maximální provozní teplota

+175°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Infineon CoolSiC™ 1700 v, 1000 mΩ SIC MOSFET v balíčku S vysokým průsakem TO-263-7 je optimalizován pro topologii zpětného chodu, která se používá v pomocných napájecích zdrojích připojených k stejnosměrnému napětí 600 v až 1000 v v mnoha energetických aplikacích.

Optimalizováno pro topologii zpětného letu

Extrémně nízká ztráta spínání

Napětí 12 v / 0 v hradla kompatibilní s řídicími jednotkami zpětného chodu

Plně ovladatelný DV/dt pro optimalizaci EMI

Sada SMD s vylepšenou vzdáleností průsaku a vůlí > 7 mm

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.