řada: HEXFET MOSFET IRF6620TRPBF Typ N-kanálový 150 A 20 V Infineon, DirectFET, počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4737
- Výrobní číslo:
- IRF6620TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
295,17 Kč
(bez DPH)
357,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 29,517 Kč | 295,17 Kč |
| 50 - 90 | 28,035 Kč | 280,35 Kč |
| 100 - 240 | 25,219 Kč | 252,19 Kč |
| 250 - 490 | 22,699 Kč | 226,99 Kč |
| 500 + | 21,588 Kč | 215,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4737
- Výrobní číslo:
- IRF6620TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 2 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Délka | 6.35mm | |
| Výška | 0.68mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení DirectFET | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 2 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Délka 6.35mm | ||
Výška 0.68mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Konstrukce Infineon křemíkové technologie HEXFET® Power MOSFET s obalem Advanced Direct FETTM pro dosažení nejnižší odolnosti ve stavu v balení, které má půdorys PROFILU SO-8 a pouze 0.7 mm. Balíček DirectFET je kompatibilní se stávajícími geometriemi rozložení používanými v aplikacích napájení, montážním zařízením PCB a fázemi páry, infračervenými nebo konvekčním pájecím technikám, pokud je dodržena aplikační poznámka AN-1035 týkající se výrobních metod a procesů.
100 % RG testovalo ztráty při nízkém vedení a spínání
Velmi nízká indukčnost balíčku ideální pro měniče DC-DC CPU Core
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 150 A 20 V Infineon počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 DirectFET, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 68 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 60 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 55 A 80 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 19 A 200 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 81 A 20 V Infineon počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení