řada: CoolMOS MOSFET IPU80R4K5P7AKMA1 N-kanálový 1.5 A 800 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4717
- Výrobní číslo:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (20 jednotky/-ek, v balení po 20 ks)*
228,24 Kč
(bez DPH)
276,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 11,412 Kč | 228,24 Kč |
| 100 - 180 | 9,399 Kč | 187,98 Kč |
| 200 - 480 | 9,164 Kč | 183,28 Kč |
| 500 - 980 | 8,917 Kč | 178,34 Kč |
| 1000 + | 8,719 Kč | 174,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4717
- Výrobní číslo:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ balení | TO-251 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 13W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.41mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ balení TO-251 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 13W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.41mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Design řady Cool MOS™ P7 společnosti Infineon představuje nový standard v oblasti 800V technologií superkřižovatek a kombinuje nejlepší výkon ve své třídě se snadným použitím technologie ART, což je výsledkem průkopnické inovace technologie superkřižovatky společnosti Infineon za více než 18 let.
Povrchová vrstva bez obsahu olova; Vyhovuje RoHS
Vynikající tepelná odolnost testováno 100% lavinovou lavinou
Bez halogenů podle normy IEC61249-2-23
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 1.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPS80R900P7AKMA1 N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení