AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 5 A 55 V, DSO, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 222-4623
- Výrobní číslo:
- BSO604NS2XUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
47 182,50 Kč
(bez DPH)
57 090,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 07. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 18,873 Kč | 47 182,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4623
- Výrobní číslo:
- BSO604NS2XUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | DSO | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.94mm | |
| Výška | 1.47mm | |
| Délka | 4.9mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení DSO | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.94mm | ||
Výška 1.47mm | ||
Délka 4.9mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Konstrukce tranzistorů MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, představuje ‚polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Logická úroveň
Režim vylepšení zelený produkt (vyhovuje směrnici RoHS)
Certifikace AEC
Související odkazy
- AEC-Q101 DSO, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení Duální
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 14.9 A 20 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET BSO201SPHXUMA1 Typ P-kanálový 14.9 A 20 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ P-kanálový 14.9 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSO301SPHXUMA1 Typ P-kanálový 14.9 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 40 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení