řada: HEXFET MOSFET + Dioda IRFR1010ZTRPBF Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-7490
- Výrobní číslo:
- IRFR1010ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
282,07 Kč
(bez DPH)
341,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 570 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 28,207 Kč | 282,07 Kč |
| 100 - 240 | 26,80 Kč | 268,00 Kč |
| 250 - 490 | 25,663 Kč | 256,63 Kč |
| 500 - 990 | 24,552 Kč | 245,52 Kč |
| 1000 + | 22,848 Kč | 228,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7490
- Výrobní číslo:
- IRFR1010ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 460nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 366W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 15.87mm | |
| Výška | 20.7mm | |
| Šířka | 5.31 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 460nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 366W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 15.87mm | ||
Výška 20.7mm | ||
Šířka 5.31 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptMOS N-channel jsou vyvinuty pro zvýšení efektivity, hustoty výkonu a efektivity nákladů. Produkty OptimOS jsou navrženy pro vysoce výkonné aplikace a optimalizovány pro vysokou spínací frekvenci a přesvědčí se o tom nejlepším přínosu tohoto odvětví. Portfolio výkonových MOSFET OptMOS, nyní doplněné silným IRFET, vytváří skutečně výkonnou kombinaci. Využijte perfektní shodu robustních a vynikajících cen/výkonu silných tranzistorů MOSFET IRFET a nejlepší technologie tranzistorů MOSFET OptiMOS ve své třídě. Obě produktové řady odpovídají nejvyšším standardům kvality a požadavkům na výkon. Společné portfolio, které pokrývá napětí od 12V až po 300V MOSFET, může řešit širokou škálu potřeb od nízkých až po vysoké spínací frekvence, jako jsou SMPS, aplikace napájené bateriemi, řízení motorů a pohonů, měniče a výpočetní technika.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Normální úroveň: Optimalizováno pro napětí pohonu kulisy 10 V.
Standardní napájecí souprava pro povrchovou montáž
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2905TRLPBF Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2905TRPBF Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4104TRLPBF Typ N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení