řada: HEXFET MOSFET + Dioda IRFR1010ZTRPBF N-kanálový 42 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-7490
- Výrobní číslo:
- IRFR1010ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
323,08 Kč
(bez DPH)
390,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 560 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 32,308 Kč | 323,08 Kč | - |
| 100 - 240 | 30,677 Kč | 306,77 Kč | 5% |
| 250 - 490 | 29,393 Kč | 293,93 Kč | 9% |
| 500 - 990 | 28,109 Kč | 281,09 Kč | 12% |
| 1000 + | 26,182 Kč | 261,82 Kč | 18% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7490
- Výrobní číslo:
- IRFR1010ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 460nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 366W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.87mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.31mm | |
| Výška | 20.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 460nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 366W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.87mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.31mm | ||
Výška 20.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptMOS N-channel jsou vyvinuty pro zvýšení efektivity, hustoty výkonu a efektivity nákladů. Produkty OptimOS jsou navrženy pro vysoce výkonné aplikace a optimalizovány pro vysokou spínací frekvenci a přesvědčí se o tom nejlepším přínosu tohoto odvětví. Portfolio výkonových MOSFET OptMOS, nyní doplněné silným IRFET, vytváří skutečně výkonnou kombinaci. Využijte perfektní shodu robustních a vynikajících cen/výkonu silných tranzistorů MOSFET IRFET a nejlepší technologie tranzistorů MOSFET OptiMOS ve své třídě. Obě produktové řady odpovídají nejvyšším standardům kvality a požadavkům na výkon. Společné portfolio, které pokrývá napětí od 12V až po 300V MOSFET, může řešit širokou škálu potřeb od nízkých až po vysoké spínací frekvence, jako jsou SMPS, aplikace napájené bateriemi, řízení motorů a pohonů, měniče a výpočetní technika.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Normální úroveň: Optimalizováno pro napětí pohonu kulisy 10 V.
Standardní napájecí souprava pro povrchovou montáž
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda IRFR1010ZTRPBF N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2905TRPBF N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4104TRLPBF N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 59 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení