řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 180 A 80 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

1 645,00 Kč

(bez DPH)

1 990,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 934 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
20 - 4882,25 Kč
50 - 9877,065 Kč
100 - 19871,755 Kč
200 +66,445 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
220-7376P
Výrobní číslo:
IPB019N08N3GATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET + Dioda

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

180A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

TO-263

Řada

OptiMOS 3

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Systém Infineon OptMOS je lídrem na trhu s vysoce účinnými řešeními pro výrobu energie (např. solární mikroměnič), napájení (např. server a telekomunikace) a spotřebu energie (např. elektrické vozidlo).

Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC

Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(ON) (FOM)

Špičkový tepelný odpor

Oboustranné chlazení

Nízká parazitní indukčnost

Nízký profil (<0,7 mm)

N-kanál, normální úroveň

Související odkazy