AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET + Dioda AUIRFR48ZTRL Typ N-kanálový 62 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 220-7347
- Výrobní číslo:
- AUIRFR48ZTRL
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
303,81 Kč
(bez DPH)
367,61 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 60,762 Kč | 303,81 Kč |
| 25 - 45 | 57,748 Kč | 288,74 Kč |
| 50 - 120 | 51,92 Kč | 259,60 Kč |
| 125 - 245 | 46,732 Kč | 233,66 Kč |
| 250 + | 44,46 Kč | 222,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7347
- Výrobní číslo:
- AUIRFR48ZTRL
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 91W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.39mm | |
| Délka | 6.22mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 91W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.39mm | ||
Délka 6.22mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFR48ZTRL Tento výkonový MOSFET HEXFET je speciálně navržen pro použití v automobilovém průmyslu a využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Používá se v automobilových aplikacích a široké řadě dalších aplikací.
Špičková technologie zpracování
Obzvláště nízký zapínací odpor
Pracovní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Možnost opakovaného průrazu až do hodnoty Tjmax
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 62 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFR48ZTRLPBF Typ N-kanálový 62 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový