řada: CoolMOS P7 MOSFET IPD95R2K0P7ATMA1 Typ N-kanálový 4 A 950 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-5995
- Výrobní číslo:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
305,535 Kč
(bez DPH)
369,69 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 7 365 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 20,369 Kč | 305,54 Kč |
| 75 - 135 | 19,349 Kč | 290,24 Kč |
| 150 - 360 | 18,541 Kč | 278,12 Kč |
| 375 - 735 | 17,718 Kč | 265,77 Kč |
| 750 + | 16,499 Kč | 247,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-5995
- Výrobní číslo:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 950V | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 37W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.41mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 950V | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 37W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.41mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nejnovější technologie 950V CoolMOS™ P7 je navržena tak, aby splňovala rostoucí potřeby zákazníků v oblasti vysokonapěťových tranzistorů MOSFET. Zaměřuje se na trh s nízkou spotřebou. Infineon Řada 950V CoolMOS™ P7 nabízí blokovacím napětím o 50 v více než její předchůdce 900V CoolMOS™ C3 a poskytuje vynikající výkon z hlediska účinnosti, tepelného chování a snadného použití. Řada 950V CoolMOS™ P7 je stejně jako ostatní členové rodiny P7 vybavena integrovanou ochranou Zenerovou diodou ESD. Integrovaná dioda výrazně zlepšuje odolnost proti elektrostatickému výnosům, čímž snižuje ztráty výnosů související s elektrostatickými výboji a dosahuje mimořádně snadných úrovní použití. CoolMOS™ P7 je vyvinut s nejlepší VGS (th) 3V a úzkou tolerancí pouze ± 0,5V, což usnadňuje řízení a design-in.
Nejlepší VGS(th) ve své třídě 3V a nejmenší VGS(th) variace ±0.5V
Integrovaná Zenerova dioda ESD ochrana do třídy 2 (HBM)
Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 4 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPA95R1K2P7XKSA1 Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 SJ MOSFET Typ N-kanálový 2 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 4 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN95R1K2P7ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení