řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 4 A 950 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 219-5994
Výrobní číslo:: IPD95R2K0P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 4 A 950 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (2500 jednotky/-ek, v kotouči po 2500 ks)*

22 552,50 Kč

(bez DPH)

27 287,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	9,021 Kč	22 552,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 219-5994
Výrobní číslo:: IPD95R2K0P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	950V
	Řada	CoolMOS P7
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	2mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	900mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	10nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	37W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	6.73mm
	Šířka	6.22mm
	Normy/schválení	No
	Výška	2.41mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 950V
	Řada CoolMOS P7
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 900mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 37W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 6.73mm
	Šířka 6.22mm
	Normy/schválení No
	Výška 2.41mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET Infineon CoolMOS řady P7, zdrojové napětí vypouštění 950 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 4 A – IPD95R2K0P7ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťový tranzistor s N-kanálem určený pro spínání a převod výkonu v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je určen pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadováno kompaktní spínací zařízení s tepelnou kapacitou.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 950 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Rds(on) 2 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při provozu s vysokým proudem
• Nabíjení hradla 10 nC snižuje energii pohonu a ztráty související se spínáním
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 4 A spolehlivě podporuje mírné zatěžovací proudy
• Maximální ztrátový výkon 37 W umožňuje výrazný tepelný prostor
• Možnost napájení hradla-zdroje 20 V pro běžná napětí pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro primární spínače spínaných napájecích zdrojů
• Používá se s předními konci průmyslových motorových pohonů
• Lze použít pro přeměnu energie v obnovitelných systémech
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž

Jaké extrémní teploty může tolerovat při provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v širokých tepelných obalů.

Jak je baleno pro montáž na desku plošných spojů?

Dodává se v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž, který je vhodný pro montáž na pájenou desku.

Jaká je typická charakteristika přímého vedení při vedení?

Zařízení vykazuje během vedení za vhodných podmínek propustné napětí 0,9 V.

Kolik elektrických připojení nabízí pro integraci obvodů?

Poskytuje tři kolíky pro standardní připojení svorek MOSFET.