řada: SCTH70N MOSFET SCTH70N120G2V-7 90 A 1.2 kV, H2PAK-7, počet kolíků: 7 kolíkový STMicroelectronics 1

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
219-4223
Výrobní číslo:
SCTH70N120G2V-7
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

90A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Řada

SCTH70N

Typ balení

H2PAK-7

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.21Ω

Počet prvků na čip

1

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.