řada: 500V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 4.8 A 500 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 218-3046
- Výrobní číslo:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
12 522,50 Kč
(bez DPH)
15 152,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 5,009 Kč | 12 522,50 Kč |
| 5000 - 5000 | 4,759 Kč | 11 897,50 Kč |
| 7500 + | 4,458 Kč | 11 145,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3046
- Výrobní číslo:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | 500V CoolMOS CE | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4Ω | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Přímé napětí Vf | 830mV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 25W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada 500V CoolMOS CE | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4Ω | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Přímé napětí Vf 830mV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 25W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 500V CoolMOS™ CE řada N-kanálový výkonový MOSFET. CoolMOS™ je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a propagované společností Infineon Technologies. Tato řada poskytuje všechny výhody rychlého přepínání superjunction MOSFET, aniž by obětoval snadné použití a nabízí nejlepší poměr nákladů a výkonu dostupný na trhu.
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Snadné použití/jízda
Pokovování bez obsahu olova, směs nehalogenových forem
Související odkazy
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET IPD50R1K4CEAUMA1 N-kanálový 4.8 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 7.6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET IPD50R500CEAUMA1 N-kanálový 7.6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET IPD50R2K0CEAUMA1 N-kanálový 2.2 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 2.2 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 4.8 A 550 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 14.1 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení