řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-8015
Výrobní číslo:: IPD80R1K0CEATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

31 180,00 Kč

(bez DPH)

37 727,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	12,472 Kč	31 180,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-8015
Výrobní číslo:: IPD80R1K0CEATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	5.7A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Řada	CoolMOS CE
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	950mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	83W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	31nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	2.41mm
	Délka	6.73mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.7A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Řada CoolMOS CE
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 950mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 83W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 31nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 2.41mm
	Délka 6.73mm
	Automobilový standard Ne

Nelze použít

Země původu (Country of Origin):: MY

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5,7A maximální trvalý vypouštěcí proud, 83W maximální ztrátový výkon - IPD80R1K0CEATMA1

Tento tranzistor MOSFET nabízí řešení pro správu napájení a obecnou elektroniku s využitím pokročilé technologie CoolMOS CE s vysokými napěťovými možnostmi až do 800 V. Vyznačuje se vysokou účinností a nízkým odporem v zapnutém stavu, což optimalizuje konstrukci a zároveň zvyšuje spolehlivost.

Vlastnosti a výhody

• Zvýšená hustota výkonu umožňuje kompaktnější konstrukce systémů

• Snížení požadavků na chlazení vede k úspoře nákladů na systémy

• Nižší provozní teploty zvyšují spolehlivost systému

• Vysoká proudová zatížitelnost podporuje náročné aplikace

• Spolehlivé hodnocení dv/dt zajišťuje stabilitu při rychlých změnách napětí

• Splňuje normy RoHS pro ekologické použití

Aplikace

• Používá se v řešeních osvětlení LED pro dodatečné instalace

• Vhodné pro topologii QR flyback v napájecích zdrojích

• Efektivní v rámci automobilových rozvodů elektrické energie

• Ideální pro různé vysokonapěťové průmyslové

Jak MOSFET zvyšuje výkon systému při řízení spotřeby?

Zvyšuje hustotu výkonu a snižuje tepelné nároky, což vede ke zvýšení účinnosti a snížení energetických ztrát během provozu.

Jaké jsou výhody použití tohoto zařízení v aplikacích osvětlení LED?

Poskytuje spolehlivý výkon při nižší produkci tepla, což přispívá k dlouhé životnosti a stabilitě osvětlovacích systémů.

Je kompatibilní s vysokofrekvenčními aplikacemi?

Ano, díky nízkému náboji hradla a vysokým špičkovým proudům je vhodný pro vysokofrekvenční operace, což zajišťuje minimální spínací ztráty.

Jaký je maximální trvalý odtokový proud tohoto zařízení?

Maximální trvalý odběrový proud je 5,7 A, takže je vhodný pro různé energeticky náročné aplikace.

V jakém teplotním rozsahu může pracovat?

Efektivně pracuje při teplotách od -55 °C do +150 °C a nabízí všestranné použití v různých prostředích.