řada: CoolMOS CE MOSFET IPD50R380CEAUMA1 Typ N-kanálový 14.1 A 550 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 130-0897
- Výrobní číslo:
- IPD50R380CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
229,22 Kč
(bez DPH)
277,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 60 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 60 jednotka(y) budou odesílané od 04. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 22,922 Kč | 229,22 Kč |
| 50 - 490 | 21,81 Kč | 218,10 Kč |
| 500 - 990 | 15,734 Kč | 157,34 Kč |
| 1000 - 2490 | 13,042 Kč | 130,42 Kč |
| 2500 + | 12,745 Kč | 127,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 130-0897
- Výrobní číslo:
- IPD50R380CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 550V | |
| Řada | CoolMOS CE | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 380mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 98W | |
| Přímé napětí Vf | 0.85V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 550V | ||
Řada CoolMOS CE | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 380mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 98W | ||
Přímé napětí Vf 0.85V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 14.1 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPP50R190CEXKSA1 Typ N-kanálový 18.5 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 18.5 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 13 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 6.8 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 3.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení