řada: HEXFET MOSFET IRL80HS120 Typ N-kanálový 12.5 A 80 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 6 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

391,26 Kč

(bez DPH)

473,42 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 820 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
20 +19,563 Kč391,26 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
217-2640
Výrobní číslo:
IRL80HS120
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PQFN

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

42mΩ

Maximální ztrátový výkon Pd

11.5W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

7nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

2.1mm

Normy/schválení

No

Délka

2.1mm

Automobilový standard

Ne

Infineon je k dispozici ve třech různých napěťových třídách (60V, 80V a 100V), nové výkonové tranzistory MOSFET společnosti Infineon jsou velmi vhodné pro bezdrátové nabíjení, telekomunikace a adaptéry. Balíček PQFN 2x2 je vhodný zejména pro vysokorychlostní přepínání a aplikace s kritickým tvarovým faktorem. Umožňuje vyšší hustotu výkonu a vyšší efektivitu a také významnou úsporu místa.

Nejnižší FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimalizované Q g, C oss a Q rr pro rychlé přepínání

Kompatibilita s logickou úrovní

Malé balení PQFN 2x2mm

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.