řada: IPD MOSFET IPD60R600P7SAUMA1 N-kanálový 6 A 600 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2530
- Výrobní číslo:
- IPD60R600P7SAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 125 kusů a ušetřete 103,75 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
416,95 Kč
(bez DPH)
504,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 25 - 100 | 16,678 Kč | 416,95 Kč | - |
| 125 - 225 | 15,848 Kč | 396,20 Kč | 103,75 Kč |
| 250 - 600 | 15,176 Kč | 379,40 Kč | 375,50 Kč |
| 625 - 1225 | 14,524 Kč | 363,10 Kč | 1 346,25 Kč |
| 1250 + | 13,516 Kč | 337,90 Kč | 3 952,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2530
- Výrobní číslo:
- IPD60R600P7SAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 41W | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.41mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 41W | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 6.22mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.41mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET je nástupcem řady 600V CoolMOS™ P6. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší ve své třídě R onxA a neodmyslitelně nízké nabití hradla (Q G) platformy CoolMOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.
600V P7 umožňuje vynikající FOM R DS(ON)XE OSS DS(ON)XQ GESD odolnost ≥ 2kV (HBM třída 2)
Integrovaný rezistor kulisy R G.
Odolná dioda
Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží
K dispozici jsou standardní i průmyslové díly
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 14.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R600P7ATMA1 N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R1K5CEAUMA1 N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R360P7SAUMA1 N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R400CEAUMA1 N-kanálový 14.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení