řada: IPD MOSFET N-kanálový 5 A 600 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2520
- Výrobní číslo:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 5000 kusů a ušetřete 1 330,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
13 265,00 Kč
(bez DPH)
16 050,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 5,306 Kč | 13 265,00 Kč | - |
| 5000 + | 5,04 Kč | 12 600,00 Kč | 1 330,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2520
- Výrobní číslo:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 49W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 49W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ CE je vhodný pro náročné a měkké spínací aplikace a jako moderní superjunction poskytuje nízké ztráty vedení a spínání, čímž zvyšuje efektivitu a nakonec snižuje spotřebu energie. 600V, 650V a 700V CoolMOS™ CE kombinují optimální R DS (ON) a balení, které nabízí vhodné v nabíječkách s nízkou spotřebou pro mobilní telefony a tablety.
Úzké okraje mezi typickou a maximální R DS (ON)
Snížená energie uložená ve výstupní kapacitance (E OSS)
Dobrá odolnost diody karosérie a snížené zatížení při zpětné regeneraci (Q rr)
Optimalizovaná integrovaná R g.
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET IPD60R1K5CEAUMA1 N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 14.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R600P7ATMA1 N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R360P7SAUMA1 N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R400CEAUMA1 N-kanálový 14.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD60R600P7SAUMA1 N-kanálový 6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení