řada: IPD MOSFET N-kanálový 6 A 600 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

25 435,00 Kč

(bez DPH)

30 777,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +10,174 Kč25 435,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
217-2527
Výrobní číslo:
IPD60R600P7ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-252

Řada

IPD

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

600mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

900mV

Maximální ztrátový výkon Pd

41W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9nC

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

6.22mm

Délka

6.73mm

Normy/schválení

No

Výška

2.41mm

Automobilový standard

Ne

Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET je nástupcem řady 600V CoolMOS™ P6. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší ve své třídě R onxA a neodmyslitelně nízké nabití hradla (Q G) platformy CoolMOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.

600V P7 umožňuje vynikající FOM R DS(ON)XE OSS DS(ON)XQ G.

Odolnost proti elektrostatickému výboji ≥ 2 kV (HBM třída 2)

Integrovaný rezistor kulisy R G.

Odolná dioda

Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží

K dispozici jsou standardní i průmyslové díly

Související odkazy