řada: CoolMOS MOSFET IPA65R1K5CEXKSA1 Typ N-kanálový 5.2 A 650 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 217-2490
- Výrobní číslo:
- IPA65R1K5CEXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 217-2490
- Výrobní číslo:
- IPA65R1K5CEXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5Ω | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 29.75mm | |
| Délka | 10.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5Ω | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 29.75mm | ||
Délka 10.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ CE je vhodný pro náročné a měkké spínací aplikace a jako moderní superjunction poskytuje nízké ztráty vedení a spínání, čímž zvyšuje efektivitu a nakonec snižuje spotřebu energie. 600V, 650V a 700V CoolMOS™ CE kombinují optimální R DS (ON) a balení, které nabízí vhodné v nabíječkách s nízkou spotřebou pro mobilní telefony a tablety.
Úzké okraje mezi typickou a maximální R DS (ON)
Snížená energie uložená ve výstupní kapacitance (E OSS)
Dobrá odolnost diody karosérie a snížené zatížení při zpětné regeneraci (Q rr)
Optimalizovaná integrovaná R g.
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 5.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET IPA65R1K0CEXKSA1 Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 9 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 37.9 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 19 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 16 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 22 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení