řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 22 A 650 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4699
- Výrobní číslo:
- IPP60R099C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
5 716,80 Kč
(bez DPH)
6 917,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 250 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 114,336 Kč | 5 716,80 Kč |
| 100 - 200 | 108,621 Kč | 5 431,05 Kč |
| 250 + | 101,759 Kč | 5 087,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4699
- Výrobní číslo:
- IPP60R099C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 22A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 99mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.36mm | |
| Šířka | 15.95 mm | |
| Výška | 4.57mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 22A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 99mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.36mm | ||
Šířka 15.95 mm | ||
Výška 4.57mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, jsou zkratkami „polovodiče s oxidem kovu“. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Povrchová vrstva bez obsahu olova; Vyhovuje RoHS
Vynikající tepelná odolnost testováno 100% lavinovou lavinou
Bez halogenů podle normy IEC61249-2-23
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET IPP60R099C7XKSA1 Typ N-kanálový 22 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 19 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 9 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 16 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 37.9 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPP60R120C7XKSA1 Typ N-kanálový 19 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPP60R145CFD7XKSA1 Typ N-kanálový 16 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení