řada: TSM025 MOSFET TSM080N03EPQ56 N-kanálový 55 A 30 V Taiwan Semiconductor, PDFN56, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 216-9672
- Výrobní číslo:
- TSM080N03EPQ56
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
542,85 Kč
(bez DPH)
656,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 6 550 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 + | 10,857 Kč | 542,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 216-9672
- Výrobní číslo:
- TSM080N03EPQ56
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Taiwan Semiconductor | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PDFN56 | |
| Řada | TSM025 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 54W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 155°C | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Délka | 6mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Taiwan Semiconductor | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PDFN56 | ||
Řada TSM025 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 54W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 155°C | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Délka 6mm | ||
Šířka 5mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
ne sléváren
Tranzistory MOSFET s jednokanálovým napájením Taiwan Semiconductor, jsou zkratka pro ’tranzistory s polovodičovým polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Nízká RDS (ON) pro minimalizaci vodivých ztrát Nízké nabití hradla pro rychlé spínání napájení 100% UIS a RG testováno
Související odkazy
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 55 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 67 A 80 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 73 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 121 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 35 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 30 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 104 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 124 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení