řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 55 A 30 V Taiwan Semiconductor, PDFN56, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 216-9671
- Výrobní číslo:
- TSM080N03EPQ56
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
28 952,50 Kč
(bez DPH)
35 032,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 5 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 11,581 Kč | 28 952,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 216-9671
- Výrobní číslo:
- TSM080N03EPQ56
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Taiwan Semiconductor | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | TSM025 | |
| Typ balení | PDFN56 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 54W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 155°C | |
| Šířka | 5mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Taiwan Semiconductor | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada TSM025 | ||
Typ balení PDFN56 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 54W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 155°C | ||
Šířka 5mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Výška 1mm | ||
Délka 6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
ne sléváren
Tranzistory MOSFET s jednokanálovým napájením Taiwan Semiconductor, jsou zkratka pro ’tranzistory s polovodičovým polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Nízká RDS (ON) pro minimalizaci vodivých ztrát Nízké nabití hradla pro rychlé spínání napájení 100% UIS a RG testováno
Související odkazy
- řada: TSM025 MOSFET TSM080N03EPQ56 N-kanálový 55 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 67 A 80 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 73 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 121 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 35 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 30 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 104 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 124 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení