řada: HP MOSFET HP8K24TB Typ N-kanálový 80 A 30 V, HSOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 215-9752
- Výrobní číslo:
- HP8K24TB
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
237,12 Kč
(bez DPH)
286,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 23,712 Kč | 237,12 Kč |
| 50 - 90 | 23,243 Kč | 232,43 Kč |
| 100 - 240 | 17,611 Kč | 176,11 Kč |
| 250 - 990 | 17,241 Kč | 172,41 Kč |
| 1000 + | 14,375 Kč | 143,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-9752
- Výrobní číslo:
- HP8K24TB
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HP | |
| Typ balení | HSOP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 31W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HP | ||
Typ balení HSOP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 31W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET ROHM s jmenovitým napětím 30 V. Má nízký odpor. Používá se hlavně při spínání a převodníku DC-DC.
Bez olova
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: HP MOSFET HP8K24TB Typ N-kanálový 80 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: HP8KE5 MOSFET HP8KE5TB1 Duální N-kanálový 8.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8KE5H MOSFET HT8KE5HTB1 Duální N-kanálový 6.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KB5 MOSFET HP8KB5TB1 Duální N-kanálový 16.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KC5 MOSFET HP8KC5TB1 Duální N-kanálový 12 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8K MOSFET HP8ME5TB1 Typ N HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: HP8 MOSFET HP8MB5TB1 Typ P HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: HP8KF7H Jednoduché tranzistory MOSFET HP8KF7HTB1 Duální N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový