řada: HEXFETMOSFET IRF9956TRPBF N-kanálový 3,5 A 30 V, SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Si
- Skladové číslo RS:
- 215-2595
- Výrobní číslo:
- IRF9956TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 215-2595
- Výrobní číslo:
- IRF9956TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 3,5 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Series | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 0.2 Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 3,5 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Series HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 0.2 Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Pátá generace HEXFET řady Infineon od společnosti International Rectifier využívá techniky zpracování Advanced k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíkové oblasti. Tyto výhody v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukce zařízení, které HEXFET napájení MOSFET jsou dobře známé, poskytuje dostatečnou úroveň zařízení pro, poskytuje návrhář s extrémně efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v široké škále aplikací. MODEL SO-8 byl upraven pomocí přizpůsobeného olověného rámu pro lepší tepelné vlastnosti a schopnost vícenásobného průvlaků, což z něj činí ideální volbu pro různé aplikace napájení. S tímto vylepšením lze v aplikaci používat více zařízení s výrazně sníženým prostorem na desce. Balení je určeno pro fázi par, infračervené pro pájení vlnou.
Technologie generace V.
Velmi nízká odolnost
Povrchová montáž
Velmi nízké ztráty při nabíjení a spínání hradla
Plně lavinové hodnocení
Duální MOSFET N-kanál
Velmi nízká odolnost
Povrchová montáž
Velmi nízké ztráty při nabíjení a spínání hradla
Plně lavinové hodnocení
Duální MOSFET N-kanál
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET IRF9956TRPBF N-kanálový 3 SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF8313TRPBF N-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF7530TRPBF N-kanálový 5 MSOP, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF7317TRPBF N/P-kanálový-kanálový 5 6 SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDS4559-F085 N/P-kanálový-kanálový 3 4 SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
- řada: TrenchFETMOSFET SIRC06DP-T1-GE3 N-kanálový 60 A 30 V počet kolíků: 8 dvojitý Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF7201TRPBF N-kanálový 7 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRL6342TRPBF N-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
