řada: HEXFETMOSFET IRF8313TRPBF N-kanálový 9,7 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

339,88 Kč

(bez DPH)

411,26 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za balení*
20 +16,994 Kč339,88 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
827-3903
Výrobní číslo:
IRF8313TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9,7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Typ balení

SOIC

Series

HEXFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

21.6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.35V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.35V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

2

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Délka

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Šířka

4mm

Výška

1.5mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Související odkazy