řada: CoolMOS P7 MOSFET IPP60R099P7XKSA1 N-kanálový 31 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 215-2539
- Výrobní číslo:
- IPP60R099P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
647,39 Kč
(bez DPH)
783,34 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 170 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 129,478 Kč | 647,39 Kč |
| 25 - 45 | 108,778 Kč | 543,89 Kč |
| 50 - 120 | 102,308 Kč | 511,54 Kč |
| 125 - 245 | 94,552 Kč | 472,76 Kč |
| 250 + | 88,08 Kč | 440,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2539
- Výrobní číslo:
- IPP60R099P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 99mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 15.95mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.36mm | |
| Výška | 4.57mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 99mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 15.95mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.36mm | ||
Výška 4.57mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon CoolMOS™ řady P7, 31 A trvalý proud na odtoku, 600 V napětí zdroje na odtoku - IPP60R099P7XKSA1
Tento tranzistor MOSFET je vysoce výkonná výkonová součástka navržená speciálně pro vysokonapěťové aplikace. S maximálním trvalým proudem 31 A a maximálním napětím 600 V je umístěn v pouzdře TO-220, takže je vhodný pro průchozí montáž. Díky svým výjimečným parametrům je ideální pro pokročilé elektronické konstrukce v různých průmyslových odvětvích.
Charakteristiky a výhody
• Vhodné pro použití s tvrdým i měkkým spínáním
• Výrazné snížení spínacích a vodivostních ztrát
• Vynikající robustní tělesová dioda pro tvrdou komutaci
• Vysoká ESD ochrana přesahující 2 kV pro spolehlivý výkon
• Konfigurace v režimu vylepšení zjednodušuje návrh obvodů
Aplikace
• Ideální pro stupně PFC (Power Factor Correction)
• Používá se v PWM (pulzně šířková modulace) s tvrdým spínáním
• Použitelné v rezonančních spínacích stupních pro různou elektroniku
• Vhodné pro adaptéry a televizory LCD/PDP
• Používá se v řešeních osvětlení, serverových zařízeních a telekomunikačních systémech
Jaký význam má nízká hodnota RDS(on) u tohoto zařízení?
Nízká hodnota RDS(on) 0,099 ohmů minimalizuje ztráty vedením a zvyšuje účinnost přeměny energie v aplikacích, kde je problémem tvorba tepla.
Jaký vliv má rozsah pracovních teplot na jeho výkon?
Efektivně pracuje při teplotách od -55 °C do +150 °C a zajišťuje spolehlivost a stabilitu i v extrémních podmínkách, takže je vhodný do různých prostředí.
Lze jej použít v paralelních konfiguracích?
Ano, u paralelních konfigurací se obecně doporučuje použití feritových kuliček na hradle nebo oddělených totemových pólů, aby se zabránilo oscilacím a zajistil stabilní provoz.
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 31 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 48 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 37 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 11 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení