řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 37 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2558
- Výrobní číslo:
- IPP60R080P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 519,40 Kč
(bez DPH)
3 048,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 50,388 Kč | 2 519,40 Kč |
| 100 - 200 | 45,349 Kč | 2 267,45 Kč |
| 250 + | 42,83 Kč | 2 141,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2558
- Výrobní číslo:
- IPP60R080P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 37A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 129W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.36mm | |
| Šířka | 4.57 mm | |
| Výška | 29.95mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 37A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 129W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.36mm | ||
Šířka 4.57 mm | ||
Výška 29.95mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Model Infineon 600V CoolMOS™ P7 je nástupcem řady 600V CoolMOS™ P6. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší ve své třídě R onxA a neodmyslitelně nízké nabití hradla (Q G) platformy CoolMOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.
600V P7 umožňuje vynikající FOM R DS(ON)XE OSS DS(ON)XQ G.
Odolnost proti elektrostatickému výboji ≥ 2 kV (HBM třída 2)
Integrovaný rezistor kulisy R G.
Odolná dioda
Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží
K dispozici jsou standardní i průmyslové díly
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPP60R080P7XKSA1 Typ N-kanálový 37 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 31 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 16 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení